[摘譯] 五個讓你創新失敗的方法

原文：Five Ways to Ruin Your Innovation Process
出處：HBR Blog
作者：RITA MCGRATH

大多數的公司企業，常常都在無意中破壞了自己內部創新的流程，作者指出了五種常見的症狀：

1. 時有時無的創新
2. 資源被現有事業單位把持
3. 嘗試把創新融入現有運行的架構之中
4. 想法不夠多元，離客戶經驗太遠
5. 把假設當做知識

[摘譯] 尋找萬用記憶體

Source: The Quest for a Universal Memory -  IEEE Spectrum

現今的電子產品，從智慧型手機、超輕薄筆電，到一般的桌上型電腦，使用的都是三層式的記憶體架構。

如同圖中所表示，SRAM, DRAM, Flash/HDD 三種記憶體的存取速度和製造成本不同，因此在電腦裡的使用量也不同。

SRAM 的速度最快，與處理器的運作時脈相當，但是相對的製作的難度也高，因此現行架構一般只配置相對少量的 SRAM 來存放處理器立即會運用到的資料。DRAM 的存在某種程度上算是彌補 SRAM 的容量不足，但是跟 SRAM 相同的是兩者同屬於「揮發性」儲存：一旦電源切斷，內部的資料即消失，因此需要「非揮發性」的記憶體來輔助，在現有的架構下也就是 Flash 記憶體或是硬碟。

由此可知，現行的三層架構，是在成本與效能之間取得較佳平衡的解決方案，事實上單一的「萬用記憶體」，一直是電腦架構設計者追尋的目標。以下是幾種目前看起來有希望的萬用記憶體的候選人：

MRAM（magnetoresistive RAM ）可以算是最接近「萬用」的記憶體。在硬體架構上，MRAM 可以視為把 DRAM 記憶單元裡的電阻換成磁極，在耗電上比 DRAM 低很多，而資料可以被保存 20 年以上，高於現有的 Flash / HDD。但是，MRAM 在存取速度上還是比 SRAM 慢，而儲存容量也只有 Flash 的十分之一。

RRAM (ReRAM, resistive RAM ) 也是經常被提到的「萬用」候選人之一，基本結構是在絕緣材料上製作微小的導電孔隙，但是會因材料的耗損而喪失記憶性質，目前的發展因為製造上的困難而停滯。

PCRAM（phase-change RAM）算是目前新記憶體技術當中最成熟的，透過改變硫系玻璃的晶態和非晶態來運作。PCRAM 的速度比 DRAM 慢，容量比 Flash 小，因此以目前的三層架構來看，不是特別有吸引力。但是 PCRAM 具有抗輻射的特性，因此在特殊用途（例如航太）的裝置上有其存在的價值。

雖然目前有十餘種萬用記憶體的可能方案，但是似乎還沒有一個可以突破物理學上的限制，而完全取代現有的三層架構。今日電子運算裝置的用途日益多元化，針對不同特殊的用途，有的情況需要的是高速的小量存取，有的情況需要的是大量儲存，所以三層架構恐怕也難以應付所有的情況。因此在以矽晶圓為主的時代結束之前，我們恐怕還會看到更多更複雜的記憶體架構。